西暦2000年ごろより，OFET の研究が世界中で盛んに行98 26F

西暦2000年ごろより，OFET の研究が世界中で盛んに行
98 26
Fig. 1 (a) HOMO-band-edge proˆle in a crystalline domain
and (b) histogram of the potential in a pentacene thin ˆlm
grown on HMDS-treated SiO2.
Fig. 2 Relationship between crystallite size estimated from
grazing incidence X-ray diŠraction (GIXD) and crystalline
domain size of the pentacene ˆlm.
Fig. 3 Density-of-state function estimated from various analyses
and a carrier-density function at room temperature.
―( )― J. Vac. Soc. Jpn.
われるようになった．そのブームの契機となった低分子材料
のひとつがペンタセンである．それ以降，ペンタセンという
共通の材料を得たことによって，高キャリア移動度有機低分
子材料中でのキャリア輸送過程について集中的な研究が行わ
れ，キャリア移動度に影響を与える数多くの内的あるいは外
的な要因が次々と理解されるようになった．
この時期に，我々も一隅を照らすべく，ペンタセン薄膜を
活性層とするOFET における移動度制限要因について研究
を進めていた6,7)．その過程において，定常電流下チャネル
内電位分布を原子間力顕微鏡（AFM）ポテンショメトリ8,9)
によって精密計測を行ったところ，結晶粒内の単結晶的と思
われていた結晶ドメイン中にも電位勾配の微少なゆらぎが常
に存在していることを見いだした．検討の結果，これは
HOMO バンド端ポテンシャルが空間的にゆらいでいるため
であるという結論に達した4)．Fig. 1(a)に，電位勾配から
求めたHOMO バンド端ポテンシャルプロファイルの一例を，
Fig. 1(b)にポテンシャルのヒストグラムを示す．ゆらぎの
振幅はポテンシャルの標準偏差として約14 meV，最小周期
は30～50 nm である．このゆらぎの最小周期はペンタセン
薄膜中の面内方向結晶子サイズと一致しており，基板表面の
凹凸によって成長時に導入される積層欠陥がゆらぎの起源で
あると考えている10)．

Kết quả (Việt) 1:

0/2000 từ OFET nghiên cứu tích cực xung quanh dòng thế giới98 26Hình 1 (một) HOMO-ban nhạc-cạnh proˆle trong một miền tinh thểvà (b) biểu đồ của tiềm năng trong một pentacene mỏng ˆlmtrồng trên SiO2 HMDS điều trị.Hình 2 mối quan hệ giữa kích thước crystallite ước tính từchăn thả tỷ lệ x-quang diŠraction (GIXD) và tinh thểtên miền các kích thước của pentacene ˆlm.Chức năng mật độ ngoại hình 3 ước tính từ các phân tíchvà một hàm mật độ tàu sân bay ở nhiệt độ phòng.— () — J. Vac. Soc. Jpn.Thực hiện. Trọng lượng phân tử thấp vật liệu dẫn sự bùng nổMột trong pentacene. Nhưng kể từ đó, được gọi là pentaceneVật liệu phổ biến, được tàu sân bay cao tính di động hữu cơ thấp-Tàu sân bay vận chuyển quá trình ở trẻ em tại các nghiên cứu chuyên sâu.Và động vận chuyển ảnh hưởng đến nhiều nội bộ hay bên ngoàiMột yếu tố bây giờ hiểu một sau khi khác.Tại thời điểm này, chúng tôi cũng làm sáng các góc, ánh sáng trên pentacene thin-filmNghiên cứu về giới hạn tính di động yếu tố trong OFET để hoạt động lớpChúng tôi đã có 6, 7). Trong quá trình, trạng thái ổn định hiện tại theo các kênh.Tiềm năng bản phân phối, nguyên tử lực lượng kính hiển vi (AFM) potentiometry 8, 9)Bởi thực hiện phép đo chính xác của hạt tinh thể đơn tinh thể và tôi nghĩ rằngTrong tinh thể tên miền đã là các biến động nhẹ trong tiềm năng gradient là luôn luônNgày được tìm thấy. Kết quả của nghiên cứu, đây làCho HOMO ban nhạc cạnh tiềm năng lên trong không gianTrong 4 kết luận rằng đã đạt tới). Hình 1 (một), từ gradient tiềm năng1 mẫu của tiềm năng hồ sơ HOMO ban nhạc kết thúc tìm kiếmHiển thị trong hình 1 (b) biểu đồ của các tiềm năng. Của sự thay đổi doBiên độ như độ lệch tiềm năng khoảng 14 meV, giai đoạn tối thiểu30-50 nm. Khoảng thời gian này biến động trong pentacene.Phù hợp với kích thước crystallite định hướng trong máy bay trong bộ phim mỏng, bề mặtXếp chồng các tăng trưởng lỗi khi giới thiệu bởi không đồng đều về nguồn gốc của những biến động.10 được coi là).